碳化硅机器
第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展 知乎
2021年6月11日 16 人 赞同了该文章. [摘 要] 第三代半导体材料碳化硅 (SiC)因其禁带宽度大、 热稳定性强、 热导率高、 抗辐射能力强等优点， 以耐高温、 高压、 高频著称， 在
进一步探索
第三代半导体材料之碳化硅（SiC）应用现状及景碳化硅（SiC）产业研究-由入门到放弃（一） 雪球
揭秘碳化硅，第三代半导体材料核心，应用七大领域，百亿
碳化硅市场景主要玩家，海外巨头垄断国内企业持续布局，加强产品创新自 1955 年菲力浦实验室的 Lely 首次在实验室成功制备碳化硅单晶以来，在随后的 60 余年中，美国、欧洲、日本等发达国家与地区的科研院所与企业不断创新和改良碳化硅单晶的制备技术与设备，在碳化硅单晶晶体及晶片技术与产业化领域形成了较大优势。 碳化硅功率器件在风力发电、工业电源、航空航等领域已实现成熟应用。伴随新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等功率半导体碳化硅（SiC）技术 知乎
2020年6月27日 功率半导体碳化硅（SiC）技术 Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅（SiC）技术的需求继续增长，这种技术可以最大限度地提高当今电力系统
碳化硅（SiC）设备和工艺情况跟踪 ！ 投资不易，同志仍需
2022年1月4日 碳化硅3个常识点 ：1、碳化硅领域在车载功率器件、光伏逆变器领域快速起量，赛道成长速度快 ！ 2、 雪球 碳化硅（SiC）设备和工艺情况跟踪 ！ 作者： 知了
国内碳化硅半导体企业大盘点 知乎
2020年4月5日 碳化硅是目发展最成熟的第三代半导体材料，拥有禁带宽度大、器件极限工作温度高、临界击穿电场强度大、热导率等显著的性能优势，在电动汽车、电源、军
碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有
2022年3月22日 SiC 碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一：由碳元素和硅 元素组成的一种化合物半导体材料。 相比传统的硅材料（Si），碳化硅（SiC）
碳化硅之演进！三菱电机深耕下一代功率器件_模块
2020年12月11日 对于三菱电机来说，芯片是功率模块的核心部分，因此在产品布局方面芯片是重点。. 而考虑到硅和碳化硅将会共存多年，所以在下一代IGBT芯片的开发上，三
碳化硅栅极驱动器 电力电子行业的 颠覆性技术 Texas
2022年5月10日 碳化硅栅极驱动器：电力电子行业的颠覆性技术 3 February 2019 表 1 图 2 增加行驶里程数，从而帮助消费者节约更多能源。SiC 生态系统中的栅极驱动器 理想情
我国首台！华工科技半导体激光设备新突破，多家上市公司也
2023年7月25日 据中国光谷微信公众号，华工科技（ 000988.SZ ）制造出我国首台核心部件100%国产化的高端晶圆激光切割设备，在半导体激光设备领域攻克多项中国第
碳化硅切割工艺流程介绍 知乎
2022年12月16日 国玉科技碳化硅晶圆切割划片设备 碳化硅切割，也称划片，是芯片制造工艺流程中一道不可或缺的工序，即通过切割技术将做好芯片的整片碳化硅晶圆进行分割，从而形成独立的单颗晶片，为后续工序做
碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有
2022年3月22日 碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大 提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，未来将主要应用领域
一文看懂半导体刻蚀设备 知乎
2021年10月11日 刻蚀是半导体制造三大步骤之一. 刻蚀已经成为半导体晶圆制造中的关键步骤，在半导体制造中重要性凸显。. 半导体制造主要步骤包括光刻、刻蚀、以及薄膜沉积三大步骤，并且不断循环进行，以构造出复
碳化硅功率模块封装技术综述 知乎
2022年7月22日 碳化硅作为宽禁带半导体的代表，理论上具有极其优异的性能，有望在大功率电力电子变换器中替换传统硅 IGBT，大幅提升变换器的效率以及功率密度等性能。. 但是目商用碳化硅功率模块仍然沿用传统硅 IGBT 模块的封装技术，面临着高频寄生参数大、散
碳化硅陶瓷—光刻机用精密陶瓷部件的首选材料 知乎
2022年2月10日 碳化硅陶瓷部件制备工艺流程图 该制备流程中的关键工艺包括凝胶注模成型工艺、陶瓷素坯加工工艺和陶瓷素坯连接工艺。其中，凝胶注成型工艺是制备碳化硅陶瓷部件的基础，该工艺是一种精细的胶态成型工艺(Colloidalprocessing)，可实现大尺寸、复杂结构坯体的高强度、高均匀性、近净尺寸成型
宽禁带碳化硅(SiC)单晶衬底及器件研究进展 知乎
2020年1月14日 国内也相继开展了碳化硅单晶生长研究，主要包括山东大学、中国科学院物理研究所、中国科学院硅酸盐研究所、中国电子科技集团公司第46研究所等单位。. 以相关的技术为基础，能批量生产SiC单晶衬底的公司包括：山东岳先进材料科技有限公司、北京
案例分享第四期：碳化硅SiC切割 知乎
2022年4月22日 碳化硅SiC材料特性. 碳化硅SiC是由硅和碳组成的化合物半导体材料，在热、化学、机械方面都非常稳定。. C原子和Si原子不同的结合方式使SiC拥有多种晶格结构，如4H,6H,3C等等。. 4H-SiC因为其较高的载流子迁移率，能够提供较高的电流密度。. SiC器件相对于Si器件的
晶盛机电研究报告：晶体生长设备龙头，碳化硅培育增长新曲线
2022年4月1日 晶盛机电成立于 2006 年，是国内晶体生长设备领域 的龙头企业。. 公司立足晶体生长设备的研发、制造和销售，开拓晶体硅生长设备和加工设 备在光伏和半导体领域的应用，布局蓝宝石、碳化硅新材料产业，围绕“新材料，新装备” 不断进行产业链延伸。. 公司
碳化硅换热器市场现状及发展趋势分析- 知乎
2022年3月11日 2021年全球碳化硅换热器市场销售额达到了 亿美元，预计2028年将达到 亿美元，年复合增长率（CAGR）为 %（2022-2028）。. 地区层面来看，中国市场在过去几年变化较快，2021年市场规模为 百万美元，约占全球的 %，预计2028年将达到 百万美元，届时全球占比将达到
如何为SiC MOSFET选择合适的驱动芯片？ 知乎
2022年12月23日 作者：张明丹，郑姿清 近年来，基于宽禁带材料的器件技术的不断发展，碳化硅器件的实际工程应用，受到了越来越广泛的关注。相较传统的硅基器件，碳化硅MOSFET具有较小的导通电阻以及很快的开关速度，与硅IGBT相比，导通损耗和开关损耗均
SiC纤维的全面制备方法 ROHM技术社区 eefocus
2019年10月21日 碳化硅纤维，英文名为silicon carbide fibre ，是以有机硅化合物为原料经纺丝、碳化或气相沉积而制得具有β-碳化硅结构的无机纤维，属陶瓷纤维类。碳化硅纤维的最高使用温度达1200℃，其耐热性和耐氧化性均优于碳纤维，强度达 1960～4410MPa，在
中金 碳化硅材料：乘碳中和之东风，国内厂商奋起直追_新浪
2022年1月13日 我们认为行业应避免产能无序扩张。. 碳化硅材料企业盈利能力及估值展望： 我们认为SiC衬底供应商的整体良品率与每个单晶炉年产量是体现公司
SiC芯片制造关键设备再突破！离子注入机产品国产化_碳化硅
2021年3月18日 3月17日，中国 电子科技集团有限公司集团旗下装备子集团，已成功实现离子注入机全谱系产品国产化，可为全球芯片制造企业提供离子注入机一站式解决方案。 碳化硅在制程上，大部分设备与传统硅生产线相同，但由于碳化硅具有硬度高等特性，需要一些特殊的生产设备，如高温离子注入机、碳膜
碳化硅_百度百科
碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经济的一种，可以称为金钢砂或耐火砂。
化学气相沉积系统的种类、特点及应用 知乎
2021年4月1日 最常见的化学气相沉积反应有: 热分解反应 、化学合成反应和化学传输反应等。. 3.化学气相沉积法之所以得到发展，是和它本身的特点分不开的，其特点如下：. （1）沉积物种类多: 可以沉积金属薄膜、非金属薄膜，也可以按要求制备多组分合金的薄膜，以及
第三代半导体材料－碳化硅介绍-电子工程专辑
2021年7月29日 以碳化硅为代表的第三代半导体材料往往具备更宽的禁带宽度，因此也被称为宽禁带半导体材料（大于 2.3eV）。. 由于氮化镓在材料制备环节仍有技术难度，当具备大规模量产条件的可用于制备功率器件的第三代半导体材料仅有碳化硅。. 4H 型碳化硅的禁带
碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检 测方法-激光散射检
2019年9月12日 本标准规定了碳化硅单晶抛光片表面质量的自动化检测方法，相对于传统目测检测方法，减少了人 为因素的干扰，准确性、一致性、效率更高，是评价碳化硅抛光晶片质量的重要技术手段。本标准由全国半导体设备与材料标准化委员会（TC 203）提出并归口。
碳化硅理化性能及应用速览 中国粉体网
2021年10月20日 对碳化硅行业较为熟悉，服务过很多行业上下游企业，参与过国内很多粉体企业的落地案例。参考来源： [1]王家鹏等.碳化硅材料研究现状与应用展望 [2]郭静霓等.碳化硅晶体结构、制备及应用 [3]都兴红等.碳化硅的应用现状 （中国粉体网编辑整理/山川）
碳化硅之演进！三菱电机深耕下一代功率器件_模块
2020年12月11日 对于三菱电机来说，芯片是功率模块的核心部分，因此在产品布局方面芯片是重点。. 而考虑到硅和碳化硅将会共存多年，所以在下一代IGBT芯片的开发上，三菱电机更偏向于将在电流密度和耐高温方面做提升。. 至于碳化硅芯片，三菱电机1700V以下的芯片
拥抱第七代IGBT和碳化硅 工业变频器/伺服器的未来属于中国
2019年4月4日 “在机器人的手臂上，我们看到更多的人想把电机伺服驱动器和伺服电机集成在一起，这个时候对于器件的开关频率、体积、散热器尺寸的考验都是非常严格的，在我个人看来，碳化硅器件未来将在这些电机驱动细分领域大展拳脚。